مدارات شکاف باند انرژی در تکنولوژی cmos

پایان نامه

وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - موسسه آموزش عالی غیرانتفاعی و غیردولتی سجاد مشهد - دانشکده برق و الکترونیک
نویسنده حمید رضا اصغرزاده ها
استاد راهنما هومن نبوتی
سال انتشار 1392

چکیده

بلوک تغذیه ازجمله بخشهای مهم واسا‎سی هرتراشه مجتمع امروزی می‎باشد . درحالت کلی، ازرگولاتورهای ولتاژخطی، به منظورتغذیه بخش آنالوگ سیستم که ازحساسیت بیشتری نسبت به نویز برخورداراست، همچنین برای تولید یک ولتاژخروجی پایدار و دقیق در وسایل قابل حمل، استفاده می‎شود. در این‎گونه مدارات بدون توجه به اندازه ولتاژ ورودی، جریان خروجی، دمای محیط ونویز تزریق شده از سوی مدارهای دیگر می‎توانند ولتاژخروجی پایدار و ثابتی تولید کنند. دراین پروژه با بررسی معیارهای شایستگی مدارات band gap از جمله ضریب خطی و psrrوپاسخ حالت گذرا وهمچنین چالش‎های این مدارات از جمله ولتاژ آفست، کاهش امپدانس خروجی، وسرعت این مدارات، تغییر درمقاومت‎ها، عدم تطابق در ترانزیستورها، در این کار تصمیم شد که این چالش‎ها به مدارات اعمال شود و تاثیرآن بر معیارهای شایستگی از جمله ضریب خطی وpsrr ونویز بررسی گردد ودرادامه کار روشی برای حذف و بهبود این چالش‎ها برای مدارات مطرح گردید وهمچنین مقایسه‎ایی بین این معیارها در حالت اعمال وحذف این چالش‎ها به مدارات صورت گرفت. در ادامه کار به ساختار جدیدی از مراجع ولتاژ با قابلیت جریان‎دهی بالا و ضریب وابستگی دمایی کم (دارای ضریب خطی مناسب) که درپردازش سیگنال‎های آنالوگ به کار می‎رود می‎پردازیم، به گونه‎ای که در این ساختار سعی شده است که از ترانزیستورهای bjt برای ولتاژهای ctat وptat استفاده نشود، چون که در فرآیند ساخت ترانزیستورهای bjt مشکل وجود دارد و همچنین در برخی موارد، مدل های شبیه سازی دقیقی برای آن‎ها در دسترس نیست. درنتیجه غالبا ساختارهای استاندارد بر مبنای ترانزیستورهای ماسفت محبوبیت بیشتری دارد. ازطرفی همان طور که قبلا عنوان شد با این ساختار می‎توان به امپدانس خروجی کم رسید واز یکی چالش‎های اصلی مداراتband gap را بهبود داد. با توجه به گفته‎های بالا قابلیت جریان‎دهی بالا این توانایی رابه ما می‎دهد که مرجع ولتاژ بتواند نویز موجود درگره حساس خروجی را به خارج هدایت نماید و به طور همزمان، جریان dc و acبا دامنه زیادرا در بار تامین کند. یکی دیگر از مسائل مهم درطراحی قابلیت مجتمع شدن (سطح اشغالی تراشه) می‎باشد که دراین راستا می‎توان از خازن‎های ماسفت به جای خازن‎های خطی استفاده گردد، از طرف دیگر استفاده از اثر میلری باعث می‎گردد که خازن‎های نسبتا کوچک که قابلیت مجتمع شدن را دارند استفاده شود.

منابع مشابه

طراحی میکسر توان باند k در تکنولوژی cmos

این رساله به طراحی دو میکسر توان با استفاده از تکنولوژی cmos180 نانومتر می پردازد. میکسر توان پیشنهادی اول با ساختار تاشده برای کاربردهای برد-کوتاه مانند بلوتوث کاربرد دارد. در حالی که میکسرتوان پیشنهادی دوم در باند k عمل می نماید و قابل پیاده سازی به صورت آرایه ای، برای تولید سیگنال خروجی با توان بزرگ (حدودا یک وات) است. میکسرتوان پیشنهادی اول با اعمال تکنیک تاشدگی در ساختار میکسر گیلبرت، طرا...

پیاده سازی باند پایه در گیرنده فراپهن باند دنباله مستقیم با تکنولوژی cmos

این رساله یک سیستم رادیوئی فراپهن باند جدید با توان کم ارائه می کند که با به کارگیری مشتق های متعامد زوج و فرد پالس های گوسی در سیمبول های مجاور عمل همزمان سازی را محقق می سازد. تحقق این سیستم که به دلیل تعامد میان پالس های مجاور در این otr-uwb نامیده می شود، تنها از یک کد شبه تصادفی استفاده می نماید و به همین دلیل زمان همزمان سازی آن در مقایسه با سیستم های مشابه نظیر ds-uwb و tr-uwb به مراتب ک...

15 صفحه اول

طراحی مدارات مرجع ولتاژ (bandgap) در تکنولوژی cmos با ولتاژ تغذیه پایین

در این تحقیق ، به مطالعه بر روی مراجع ولتاژ پرداختیم با استفاده از جریان زیر آستانه ماسفت ها و روش مفهوم اصل ولتاژ باندگپ معکوس (البته با در نظر گرفتن بتا ترانزیستور اتصال دوقطبی) ، مداری طراحی کردیم که قادر به جبران دمایی مرتبه دوم بود. هدف پیشنهادی این پایان نامه ، توسعه مرجع ولتاژ باندگپ با ترجیحا عملکرد ولتاژ پایین و همچنین تضمین پایداری در ولتاژ مرجع بود. با استفاده از نرم افزار hspice و ...

تکنولوژی مدارات ترکیبی nano/cmos برای پیاده سازی شبکه های عصبی مصنوعی

پتانسیل بسیار بالای تکنولوژی نانو، امکان پیاده سازی شبکه های عصبی مغز را که آرزوی دیرین بشر بوده؛ فراهم می آورد. در این میان تکنولوژی نانوالکترونیک ترکیبی به دلیل همگونی با تکنولوژهای قبل و قابلیت های مناسب آن به نظر می رسد؛ تکنولوژی مناسبی از بین طرح های پیشنهادی برای ادامه روند صنعت الکترونیک باشد. این پایان نامه نیز در راستای تحقیقات مبتنی بر پیاده سازی شبکه های عصبی در نانوالکترونیک ترکیبی ...

15 صفحه اول

توسعه تکنولوژی برای تعیین ارتفاع شکاف

متن کامل

افزایش بهره ولتاژ و پهنای باند تقوت کننده های توزیع شده در تکنولوژی 0.13µm cmos

تقویت کننده های توزیع شده دارای بهره مسطح و تطبیق امپدانس خوب ورودی و خروجی در یک پهنای باند فرکانسی وسیع هستند. این تقویت کننده ها توانایی انتقال داده را در طیف وسیعی از باند فرکانسی با میزان بالای اطلاعات را دارا می باشند. در این پایان نامه ابتدا یک تقویت کننده تفاضلی cmos توزیع شده که ترکیبی از توپولوژیهای cascode و cascade می باشد برای کاربردهای uwb در تکنولوژی 0.13µm cmos ارائه شده است. م...

منابع من

با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید

ذخیره در منابع من قبلا به منابع من ذحیره شده

{@ msg_add @}

نوع سند: پایان نامه

وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - موسسه آموزش عالی غیرانتفاعی و غیردولتی سجاد مشهد - دانشکده برق و الکترونیک

کلمات کلیدی

ضریب خطی

میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com